一项新研究显示,我们或许可以用特殊材料制造柔性电子器件

A silicon wafer is pictured during the media presentation of the Guardian Angels project in one of the low particle pollution nanofabrication clean rooms of the Swiss Federal Institute of Technology (EPFL) in Ecublens, near Lausanne May 16, 2011. If selected from amongst six other candidates by the Future and Emerging Technologies (FET) Flagship Program launched by the European Commission, the Guardian Angels Project will receive funding up to 100 million euros a year for 10 years. The final decision will take place in April 2012. The goal of the Guardian Angels Project is to provide information and communication technologies to assist people in complex situations by the means of intelligent and autonomous systems. In addition these systems will be designed for zero power requirements as they will scavenge for energy. REUTERS/Valentin Flauraud(SWITZERLAND - Tags: SCI TECH) - BM2E75G11S101
Silicon is currently the dominant material used in most electronic devices.Image: REUTERS/Valentin Flauraud
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如今,绝大多数计算设备都由硅制成。硅是地球上含量第二丰富的元素,仅次于氧。岩石、黏土、沙子和土壤中都能找到不同形态的硅。虽然硅并非地球上性能最好的半导体材料,却是迄今最容易获取的材料。因此,硅成为大多数电子设备的主要材料,包括传感器、太阳能电池,以及电脑和智能手机中的集成电路。

如今,麻省理工学院的工程师开发出一种技术,可用多种硅以外的特殊材料制造超薄半导体薄膜。为展示这项技术,研究人员制造了由砷化镓、氮化镓和氟化锂制成的柔性薄膜——这些材料的性能优于硅,但迄今为止,用它们制造功能性器件的成本高得令人望而却步。

研究人员表示,这项新技术提供了一种经济高效的方法,可用任意组合的半导体元素制造柔性电子器件,其性能可能优于现有的硅基器件。

“我们开辟了一条道路,可以用硅以外的许多不同材料体系制造柔性电子器件。”Jeehwan Kim说。他是机械工程系和材料科学与工程系1947届职业发展副教授。Kim设想,这项技术可用于制造低成本、高性能器件,例如柔性太阳能电池,以及可穿戴电脑和传感器。

这项新技术的详情于今日发表于《自然·材料》。除Kim外,论文的麻省理工学院合著者还包括Wei Kong、Huashan Li、Kuan Qiao、Yunjo Kim、Kyusang Lee、Doyoon Lee、Tom Osadchy、Richard Molnar、Yang Yu、Sang-hoon Bae、Yang Shao-Horn和Jeffrey Grossman,此外还有来自中山大学、弗吉尼亚大学、得克萨斯大学达拉斯分校、美国海军研究实验室、俄亥俄州立大学和佐治亚理工学院的研究人员。

忽隐忽现

2017年,Kim及其同事设计出一种方法,利用石墨烯制造昂贵半导体材料的“复制品”。石墨烯是一层原子厚的碳原子薄片,原子排列成六边形蜂窝状结构。他们发现,将石墨烯叠放在砷化镓等纯净、昂贵的半导体材料晶圆上,再让镓原子和砷原子流经这一叠层时,这些原子似乎会以某种方式与下方的原子层相互作用,仿佛中间的石墨烯隐形或透明。结果,这些原子按照下方半导体晶圆精确的单晶排列组装起来,形成一个完全相同的复制品,之后可以轻松地从石墨烯层上剥离。

麻省理工学院研究人员设计出一种方法,可通过二维材料在衬底上生长单晶化合物半导体。Image: Wei Kong和Kuan Qiao

他们称这项技术为“远程外延”,它提供了一种经济实惠的方法,只用一片昂贵的底层晶圆就能制造多片砷化镓薄膜。

他们不久之后公布了首批研究结果,团队便开始思考能否用这项技术复制其他半导体材料。他们尝试将远程外延用于硅和锗这两种廉价半导体,却发现让这些原子流经石墨烯时,它们无法与各自下方的材料层相互作用。仿佛原本透明的石墨烯突然变得不透明,阻止硅原子和锗原子“看见”另一侧的原子。

事实上,硅和锗在元素周期表中属于同一族。具体来说,这两种元素都属于第四族,这类材料在离子层面呈中性,也就是说没有极性。

“这给了我们一个线索。”Kim说。

团队推测,原子或许只有带有一定离子电荷,才能透过石墨烯彼此相互作用。例如,在砷化镓中,镓在界面处带负电,而砷带正电。这种电荷差异,也就是极性,可能帮助原子透过石墨烯相互作用,仿佛石墨烯是透明的,并复制下方的原子排列。

“我们发现,原子透过石墨烯产生的相互作用取决于原子的极性。对于离子键最强的材料,即使隔着三层石墨烯,它们也能相互作用。”Kim说。“这类似于两块磁铁隔着一张薄纸仍能相互吸引。”

异性相吸

研究人员使用远程外延复制不同极性的半导体材料,以此检验他们的假设。材料涵盖了呈中性的硅和锗、极性较弱的砷化镓,以及极性很强的氟化锂;后者是比硅性能更好、价格也更高的半导体。

他们发现,极性越强,原子间的相互作用也越强,有时即使隔着多层石墨烯也是如此。他们能够制成的每片薄膜都具有柔性,厚度仅为几十至几百纳米。

团队还发现,原子相互作用所经由的材料也很重要。除了石墨烯,他们还试验了六方氮化硼(hBN)中间层。这种材料的原子排列与石墨烯相似,也具有类似特氟龙的特性,使复制后的上层材料能够轻松剥离。

然而,hBN由带相反电荷的硼原子和氮原子构成,因此材料本身具有极性。在实验中,研究人员发现,任何流经hBN的原子,即使本身极性很强,也无法与下方晶圆充分相互作用。这表明,目标原子和中间材料两者的极性,共同决定原子能否相互作用并形成原始半导体晶圆的复制品。

“现在我们真正理解了原子透过石墨烯相互作用的规律。”Kim说。

他说,有了这一新认识,研究人员现在只需查看元素周期表,挑选两种带相反电荷的元素。获得或制造出一片由相同元素制成的主晶圆后,他们就可以运用团队的远程外延技术,制造出多片与原始晶圆完全相同的复制品。

“人们过去主要使用硅晶圆,因为它们便宜。”Kim说。
“现在,我们的方法开辟了一条道路,可以使用性能更高的非硅材料。你只需购买一片昂贵的晶圆,就能一再复制,并不断重复使用这片晶圆。而且,这项技术适用的材料种类如今大大扩展了。”

Kim设想,远程外延如今可用于用种类繁多、以往较为特殊的半导体材料制造超薄柔性薄膜——前提是这些材料由具有一定极性的原子构成。这些超薄薄膜有望一层层叠放,制成小巧、柔性、多功能的器件,例如可穿戴传感器、柔性太阳能电池,甚至在遥远的未来,制成“能贴在皮肤上的手机”。

“在智慧城市中,我们可能希望到处都部署小型计算机,因此需要由更优材料制成的低功耗、高灵敏度计算和传感设备。”Kim说。“这项研究为实现这些设备开辟了道路。”

这项研究部分获得了美国国防高级研究计划局、能源部、空军研究实验室、LG电子、Amore Pacific、LAM Research和Analog Devices的支持。

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